团队介绍

本团队面向量子计算、深空探测和6G通信等应用领域，利用化合物半导体优势开发具有超低噪声的化合物半导体器件和电路、毫米波、太赫兹器件和电路以及超高速的数模混合电路等研究。

团队负责人

金智、理学博士、教授、博士生导师、中国科学院百人计划学者、享受政府特殊津贴专家。长期从事化合物半导体高频器件和电路的工艺、模型和设计研究。长期从事GaAs、InP、GaN等化合物半导体材料的外延生长、器件工艺和射频、毫米波、太赫兹集成电路的研究工作。在III-V族化合物半导体器件的结构设计、物理机制、工艺和电路研究方面取得许多有影响的研究成果：在国内率先研发成功满足W波段（75-110 GHz）毫米波电路的需求的InP基双异质结构双极晶体管（DHBT）；在国内率先研发成功工作频率大于40 GHz的InP DHBT分频器；研究成功国内速度最高的化合物半导体超高速直接数字频率合成器（DDS）和模式转换器（ADC），工作频率分别达到10 GHz和4 GSps；基于自主工艺，在国内率先实现了系列W波段单片集成电路（MMIC），并实现了系统验证;实现了太赫兹肖特基二极管、太赫兹混合集成电路设计和工艺，并研发成功太赫兹检波器、倍频器件等模块；基于肖特基二极管的电路实现了产品销售。研发成功9-15 GHz、25-30 GHz两款高频段5G基站用功率放大器芯片。共发表各类学术论文300余篇。申请发明专利70余项。作为负责人先后主持了01、02、03国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目2项、JKW JCJQ项目等10余项国家级科研项目。获得省部级二等奖一项、中国侨届贡献奖一等奖。

                邮箱：jinzhi@dgut.edu.cn。

于广辉，博士生导师，中国电子科技集团有限公司碳基电子重点实验室第一届学术委员会委员。围绕化合物半导体材料与器件、二维薄膜材料与器件、InP基射频器件与电路制备中的关键技术问题开展研究，作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金、中国科学院、上海市等科研项目二十项。曾获得日本千叶大学“nanohana award”。实现了“氮化镓衬底材料制备技术”成果转化。在Small、ACS nano、Carbon等杂志共发表SCI论文100多篇，授权中国发明专利30多项，已转让14项，授权美国发明专利1项。培养了20多名硕士、博士研究生，获得了国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院三好学生标兵、北京市普通高等学校优秀毕业生等奖励多项。

周静涛，硕士生导师，2007年毕业于中国科学院半导体研究所并获得博士学位，在中科院微电子所带领一支年轻的研究团队，深耕“InP基太赫兹双端器件技术”研究近二十年，开发了以InP基为特色开发了一整套国内领先的肖特基太赫兹器件技术，包含从材料外延设计、器件结构优化仿真，器件建模、器件工艺开发以及测试分析完整的技术链。获得军科委颁发的科技进步二等奖1项。作为项目/课题负责人承担过国自科面上项目，装发新品项目，装发863项目，军科委基础加强重点项目课题7项，均圆满完成了研究任务，总经费2128万元。 发表SCI期刊文章30余篇，申请专利和授权13项。自2012年成为硕导以来，培养了硕士毕业生13人，协助培养博士毕业生8人，部分毕业生已成长为华为、OPPO等国际大公司的技术骨干。

赖寿强、工学博士、讲师、硕士生导师。长期从事半导体光电子材料与器件领域的研究工作，重点聚焦化合物半导体材料、Micro-LED、DUV-LED、激光器等方面的研究，具体包括外延生长、器件制备及模组制造核心工艺改进与器件、模组性能提升等方面的研究工作。在半导体光电子领域取得多项重要成果：研发的超高通量自适应分选平台已进入产业化验证阶段，分别与三星、三安光电、大族半导体、乾照光电试应用；优化的原子层沉积侧壁钝化工艺、超快激光隐形切割技术已获得多家企业应用。作为第一/共一/共通讯作者在Opto-Electronic Advances、IEEE ELectron Device Letters、Advanced Optical Materials等期刊发表学术论文三十余篇，共同申请授权发明专利5项。作为核心成员先后参与国家自然科学基金项目、福建省科技重大专项、厦门市重大专项等科研项目。   邮箱：laishouqiang@dgut.edu.cn

唐鑫、工学博士、讲师，专注于以GaN为代表的III-V族化合物半导体材料与器件研究，包括外延生长、器件工艺和结构设计等；参与多项国家重点研发计划、国防创新特区重点项目，与科技企业、科研院所开展产学研合作，实现了相关产品在高速光通信和空间电源等民用及国防领域应用；以第一/通讯作者在Nano-Micro Lett.等著名期刊发表SCI论文5篇；授权国家发明专利4项；获有色金属工业技术发明奖一等奖，中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛金奖。

团队成员

柴吉星，男，博士，讲师，2023年获得华南理工大学工学博士学位，研究方向为化合物半导体材料与器件物理。2023年10月至今，在东莞理工学院国际微电子学院从事教学科研工作。至今，以第一作者在Advanced Electronic Materials、Optics Express、Applied Surface Science发表SCI论文5篇，参与国家重点研发计划项目1项，国家自然科学基金项目1项。

团队代表性学术论文

1. Z. Feng, W. Ding, Y. Su, R. Feng, F. Zhou, H. Gong, and Z. Jin. A Four-Port Noise De-embedding Methodology for On-Wafer Microwave Device based on Electromagnetic Simulation. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2024, Vol. 34, 943.

2. F. Zhou, R. Feng, S. Cao, Z. Feng, T. Liu, Y. Su, J. Shi, W. Ding and Z. Jin. Origin and Suppression of Kink Effect in InP HEMTs at Cryogenic Temperatures. Applied Physics Letters, 2024, Vol. 124, 063503.

3. R. Feng, S. Cao, Z. Feng, F. Zhou, T. Liu, Y. Su, Z. Jin, InGaAs/InAlAsInP-based HEMT with the current cutoff frequency 441 GHz，Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2024, Vol. 43, 331.

4. Z. Feng, S. Cao, R. Feng, F. Zhou, Y. Su , W. Ding, and Z. Jin. An Accurate Model for InP HEMT Small-Signal Equivalent Circuit Based on EM Simulation. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, Vol. 70(3), 934.

5. F. Zhou, R. Feng, S. Cao, Z. Feng, T. Liu, Y. Su, J. Shi, W. Ding and Z. Jin. “Impact of SiO2 hardmask on the DC and RF characteristics of InP HEMTs.” Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2023, Vol. 34, 2005.

6. Z. Zhu, W. Ding, Y. Wang, J. Ding, F. Zhou, Y. Su, F. Yang, Z. Jin. Improving the RF Performance of InP DHBT Using fT-Doubler Technique, IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, 2023, Vol. 33(12) 1615.

7. Y. Wang, J. Ding, R. Feng, S. Cao, F. Zhou, W. Ding, Y. Su, Z. Jin. Accurate Modeling Approach for InP fT-Doubler Based on Electromagnetic Simulation, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, Vol. 70, 934.

8. S. Cao, R. Feng, F. Zhou, Z. Feng, P. Ding, Y. Su, Z. Jin. Performance Improvement by SiO2 Hardmask in 100-nm InP-Based HEMTs for TMIC Applications, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2023, Vol. 70, 2262.

9. C. Zhu，Z. Lin，D. Zhang，J. Shi, Z. Jin. Predicting the Level of Background Current Noise in Graphene Biosensor through a Non-Covalent Functionalization Process, CRYSTALS, 2023, Vol. 13, 359.

10. Y. Yan, S. Peng, Z. Jin, D. Zhang, J. Shi. Recovering the Intrinsic Electrical Property of a Graphene Field-Effect Transistor by Interface Cleaning Technology, ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS, 2023, Vol. 5, 3113.

11. J. Zhang, B. Mei, Y. Su, F. Yang, Z. Jin and Y. Zhong. Influence of BCB Protection on Irradiation Response of InP-Based HEMTs: A Comparative Study [J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(8), 4225.

12. H. Yun，B. Mei，Y. Su，F. Yang，P. Ding，J. Zhang，S. Meng，C. Zhang，Y. Sun，H. Zhang，Z. Jin，Y. Zhong. Equivalent small-signal model of InP-based HEMTs with accurate radiation effects characterization[J]. Journal of Applied Physics, 2023, 133(20).

13. Wang, Y.-J.; Wang, P.; Wan, L.-X.; Jin, Z. Signal-Independent Background Calibration with Fast Convergence Speed in Pipeline-SAR ADC. Micromachines, 2023, 14, 300.

14. Wang, Y.; Wang, Y.; Wan, L.; Jin, Z. Linearity Enhancement Techniques for PGA Design. Micromachines, 2023, 14, 356.

15. W. Zhen, L. Xiao, S. Cao, Y. Su, Z. Jin. A 35-GHz Bandwidth 30 GSa/s InP Track-and-Hold Amplifier using Enhanced fT-Doubler Technique. 2022 IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs TCAS2, 2022, 69(11).

16. W. Zhen, L. Xiao, S. Cao, Y. Su, Z. Jin. RF Performance Improvement of InP Frequency Divider by Using Enhanced fT-Double Technique. IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2022, 32(9).

17. L. Xiao, W. Zhen, S. Cao, Y. Su, Z. Jin. A Broadband Static Frequency Divider up to 62 GHz in InP DHBT with Capacitive Degeneration. IEICE Electronics Express 19(9): 20220117(2022)

18. S. Peng, Z. Jin. Electric-Field Induced Doping Polarity Conversion in Top-Gated Transistor Based on Chemical Vapor Deposition of Graphene. Crystals, 2022, 12, 184.

19. Y. Yan, Z. Jin. Seeding-Layer-Free Deposition of High-k Dielectric on CVD Graphene for Enhanced Gate Control Ability. Crystals, 2022, 12, 513.

20. Y. Wang, Z. Jin. An electromagnetic simulation assisted small signal modeling method for InP double-heterojunction bipolar transistors. Chinese Phys. B 31(6): 068502 (2022).

21. S. Feng, Z. Jin. Extrinsic equivalent circuit modeling of InP HEMTs based on full-wave electromagnetic simulation. Chinese Phys. B 31(4): 047303(2022)

22. H. Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchu Ye, Z. Jin. Investigation on Capacitance Collapse Induced by Secondary Capture of Acceptor Traps in AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode. Micromachines 13, no. 5: 748(2022).

23. H. Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchu Ye, Z. Jin. Investigation on Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode. Micromachines 12, no. 11: 1296 (2021).

24. H. Kang, Zhi Jin. Non-destructive Visualization of Graphene on Pt with Methylene Blue Surface Modification, SCIENCE CHINA Materials, 65, 2763–2770 (2022)

25. S. Wang, Zhi Jin. Morphology Regulation of MoS2 Nanosheet-Based Domain Boundaries for Hydrogen Evolution Reaction, ACS Applied Nano Materials, 5, 2, 2273–2279 (2022)

26. S. Wang, Zhi Jin. Fast and controllable synthesis of AB-stacked bilayer MoS2 for photoelectric detection, 2D Mater. 9, 015016 (2022)

27. W. Zhen, S. Li, S. Cao, Y. Su, Z. Jin.A 25-GSa/s InP DHBT Track-and-Hold Amplifier Using Active Peaking Input Buffer, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2021, 31(10): 1142-1145.

28. C. Zhu, S. Peng, X. Zhang, Y. Yao, X. Huang, Y. Yan, D. Zhang, J. Shi, Z. Jin. Reducing metal/graphene contact resistance via N, N-dimethylacetamide-assisted clean fabrication process, Nanotechnology, 2021, 32(31): 315201.

29. X. Liu, Y. Zhang, H. Wang, L. Qi, B. Wang, J. Zhou, W. Ding, Z. Jin.TSPEM Parameter Extraction Method and Its Applications in the Modeling of Planar Schottky Diode in THz Band, Electronics, 2021, 10(13): 1540.

30. X. Zhang, Y. Yao, S. Peng, C. Zhu, X. Huang, Y. Yan, D. Zhang, J. Shi, Z. Jin.Stable p-type chemical doping of graphene with reduced contact resistance by single-layer perfluorinated polymeric sulfonic acid, Nanotechnology, 2021, 32(15): 155705.

31. X. Huang, J. Shi, Y. Yao, S. Peng, D. Zhang, Z. Jin.Layer thickness influenced irradiation effects of proton beam on MoS2 field effect transistors, Nanotechnology, 2021, 32(13): 135204.

32. X. Zhang, H. Zhu, S. Peng, G. Xiong, C. Zhu, X. Huang, S. Cao, J. Zhang, Y. Yan, Y. Yao, D. Zhang, J. Shi, L. Wang, B. Li, Z. Jin.Radiation-hardened property of single-walled carbon nanotube film-based field-effect transistors under low-energy proton irradiation, Chinese Journal of Semiconductors, 2021, 42(11): 112002.

33. Shaojun Li, Yongbo Su, Hongliang Lv, Lei Zhou, Yimen Zhang, Yuming Zhang, Jun Hu, Fang Yang, Zhi Jin, A broadband InP track-and-hold amplifier using emitter capacitive/resistive degeneration, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2020, 30 (4), 391-394.

34. Dayong Zhang, Zhi Jin, Jingyuan Shi, Songang Peng, Xinnan Huang, Yao Yao, Yankui Li, Wuchang Ding, Dahai Wang. A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process, RSC Adv, 2020,10:3314-3318.

部分代表性成果及简介

团队拥有的部分主要设备介绍

深低温、微波和噪声测试平台

化合物半导体工艺平台

毫米波、太赫兹电路和超高速数模混合电路设计平台