个人简介

于广辉，博士，东莞理工学院领军人才B类。本科（1993年）和硕士（1996年）毕业于吉林大学，1999年毕业于中国科学院长春物理研究所，获得凝聚态物理博士学位，2025年7月入职东莞理工学院国际微电子学院。在Small、ACS nano、Nano Letter、Carbon、Nature Communication等主流杂志共发表SCI论文100多篇，授权中国发明专利30多项，已转让14项，授权美国发明专利1项。培养了20多名硕士、博士研究生，获得了国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院三好学生标兵、北京市普通高等学校优秀毕业生等奖励多项。曾获得日本千叶大学“nanohana award”。开展了GaN材料的HVPE生长及应用研究，开发出专门用于厚膜氮化镓生长的HVPE设备，制备出2英寸自支撑GaN材料，并实现“氮化镓衬底材料制备技术”成果转化。作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金、中国科学院、上海市等科研项目二十项。现主持国家自然科学基金面上项目1项，国家重点研发计划子课题1项。长期从事化合物半导体材料、二维材料、光电器件以及微波集成电路器件的研究工作。

教育背景

1989.09-1993.07 吉林大学 电子工程系 半导体物理与器件物理专业，本科

1993.09-1996.07 吉林大学 电子工程系 半导体物理与器件物理专业，硕士

1996.09-1999.70 中国科学院长春物理研究所 凝聚态物理专业，博士

工作经历

长期从事第二代、第三代半导体以及二维薄膜的材料与器件研究工作，作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金、中国科学院、上海市等科研项目二十项。曾获得日本千叶大学“nanohana award”。实现了“氮化镓衬底材料制备技术”成果转化。在Small、ACS nano、Carbon等杂志共发表SCI论文100多篇，授权中国发明专利30多项，已转让14项，授权美国发明专利1项。培养了20多名硕士、博士研究生，获得了国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院三好学生标兵、北京市普通高等学校优秀毕业生等奖励多项。

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 晶圆级高质量少层单晶石墨烯的可控制备和机理研究，国家自然科学基金面上项目，2024-2027，55万元，主持

2. 安培量子化复现关键技术研究，国家重点研发计划子课题，2023-2026， 45万元，主持

3. 面向柔性电子器件应用的高质量石墨烯单晶晶圆制备，上海市协同创新办公室项目， 2021-2023， 180万元，主持

4. 面向高开关比、低功耗逻辑器件应用的 4 英寸高质量二硫化钼单晶晶圆制备，上海市科学技术委员会, 上海市科技计划重点项目，2020-2022，150万元，主持

（2）发表的学术论文和著作

1.Xiaohui Zeng, Chuang Tian, Dong Zhang, Guanghui Yu*, Yuan Hu*, Jun Li*, Kecheng Cao*, Electron Beam Manipulation on the Moiré Superlattice of Bilayer WS2, Nano Lett. (2026), 26, 1872-1879

2.Chuang TianΨ, Xiaochi TaiΨ, Yanping Sui, Yu Feng, Runhan Xiao, Jiawen Liu, Jie Cheng, Yangjian Xu, Haomin Wang, Shujie Tang, Yan Chen*, Guanghui Yu*, Facile and Robust Synthesis of Wafer-scale Continuous Highly Oriented MoS2 Films by the Confined Space Method , Surfaces and Interfaces (2025), 72, 107367

3.Chuang Tian, Yanping Sui, Runhan Xiao, Yuhan Feng, Jiawen Liu, Haomin Wang, Sunwen Zhao, Shuang Wang, Pai Li,* and Guanghui Yu*, Doping Ability Modulated by Interlayer Coupling in AA′and AB Stacked Bilayer V-WS2 Grown with Chemical Vapor Deposition, Small (2024), 2309777

4.Zhao, Sunwen; Tai, Xiaochi; Xiao, Runhan; Feng, Yu; Tian, Chuang; Liu, Jiawen; Sui, Yanping; Zhang, Yanhui; Wang, Jianlu; Chen, Yan*; Yu, Guanghui*, Tunable WSe2-MoSe2 Lateral Heterojunction Photodetector Based on Piezoelectric and Flexoelectric Effect, ACS Applied Materials & Interfaces (2024), 16, 67889−67899

5.Runhan Xiao#, Qingyuan Luo,#, Zhengyi Cao,#, Chuang Tian#, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Guanhua Zhang, Zhonghui Li, Yanhui Zhang*, Haibo Shu*, Yun Wu*, Guanghui Yu*, Hydrogen-Modulation Method for Wafer-Scale Few-Layer Single-Crystal Graphene Growth, Carbon (2023), 213, 118289

6.Dongyang Zhao, Hanxue Jiao, Yan Chen*, Chao chen, Shuang Wang, Xudong Wang, Guanghui Yu*, Wei Bai*, Xiaodong Tang, Jianlu Wang, Junhao Chu, Controllable Photocurrent Generation in Lateral Bilayer MoS2–WS2 Heterostructure, Advanced Optical Materials (2023), 11, 23007

7.Shuang Wangψ; Degong Dingψ; Pai Liψ; Yanping Sui; Guanyu Liu; Sunwen Zhao; Runhan Xiao; Chuang Tian; Zhiying Chen; Haomin Wang; Chen Chen; Gang Mu; Yixin Liu; Yanhui Zhang*; Chuanhong Jin*; Feng Ding*; Guanghui Yu*, Concentration Phase Separation of Substitution-doped Atoms in TMDCs Monolayer, Small, (2023), 2301027

8.Chuang Tian, Runhan Xiao, Yanping Sui, Yuhan Feng, Haomin Wang, Sunwen Zhao, Jiawen Liu, Xiuli Gao, Hao Sun, Songang Peng , Zhi Jin , Xinyu Liu , Shuang Wang* , Pai Li* and Guanghui Yu*，Opposite doping distribution in TMD monolayer regulated by VLS and VSS growth mechanism, Science China Materials (2023), 66, 4723–4732

9.Ding, Degong; Wang, Shuang; Xia, Yipu; Li, Pai*; He, Daliang; Zhang, Junqiu; Zhao, Sunwen; Yu, Guanghui*; Zheng, Yonghui; Cheng, Yan; Xie, Maohai*; Ding, Feng; Jin, Chuanhong*, Atomistic insight into the epitaxial growth mechanism of single crystal two-dimensional transition-metal dichalcogenides on Au (111) substrate, ACS Nano (2022), 16, 17356-17364

10.Shuang Wangψ, Yan Chenψ, Tianhao Tanψ, Yanping Sui, Chuang Tian, Ziqiang Kong, Haomin Wang, Sunwen Zhao, Runhan Xiao, Zhiying Chen, Yanhui Zhang*, Dong Wang*, Jianlu Wang*, and Guanghui Yu*，One-Step Synthesis of a Bilayer MoS2/WS2 Lateral Heterojunction for Photoelectric Detection, ACS Appl. Nano Mater. (2022), 5, 17203-17211

11.Shuang Wangψ, Jing Liψ, Shike Hu, He Kang, Sunwen Zhao, Runhan Xiao, Yanping Sui, Zhiying Chen, Songang Peng, Zhi Jin, Xinyu Liu, Yanhui Zhang*, Guanghui Yu*, Morphology Regulation of MoS2 Nanosheet-Based Domain Boundaries for Hydrogen Evolution Reaction, ACS Applied Nano Materials (2022), 5, 2273–2279

12.Yanhui Zhang, Yanping Sui, Zhiying Chen, He Kang, JingLi, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Guanghui Yu*, Songang Peng, Zhi Jin, Xinyu Liu, Role of hydrogen and oxygen in the study of substrate surface impurities and defects in the chemical vapor deposition of graphene, Carbon (2021), 185, 82-95

13.He Kang, Pengtao Tang, HaiboShu, Yanhui Zhang*, Yijian Liang, Jing Li, Zhiying Chen, Yanping Sui, Shike Hu, Shuang Wang , Sunwen Zhao, Xuefu Zhang, Chengxin Jiang, Yulong Chen, Zhongying Xue, Miao Zhang, Da Jiang, Guanghui Yu*, Songang Peng, Zhi Jin, Xinyu Liu, Epitaxial growth of wafer scale antioxidant single-crystal graphene on twinned Pt(111), Carbon (2021), 181, 225-233

14.Jing Li, Shuang Wang, Qi Jiang, Haoji Qian, Shike Hu, He Kang, Chen Chen, Xiaoyi Zhan, Aobo Yu, Sunwen Zhao, Yanhui Zhang, Zhiying Chen, Yanping Sui, Shan Qiao, Guanghui Yu*, Songang Peng, Zhi Jin, and Xinyu Liu，Single-Crystal MoS2 Monolayer Wafer Grown on Au (111) Film Substrates，Small (2021) , 2100743

15.ZhiyingChen, YanpingSui, Jing Li, He Kang, Shuang Wang, Sunwen Zhao, Xiuli Gao, Songang Peng, Zhi Jin, Xinyu Liu, Yanhui Zhang*, Guanghui Yu*, Conversion of the stacking orientation of bilayer graphene through high-pressure treatment, Carbon (2021), 172, 480-487

（3）专利情况

1.王爽，于广辉，张燕辉，陈志蓥，MoX2/WX2横向异质结的制备方法, 发明专利，专利号：ZL202111406267.7，已授权，授权时间：2024.9.10

2.张燕辉，于广辉，肖润涵，陈志蓥，一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，发明专利，专利号：ZL202211368131.6，已授权，授权时间：2023.6.2

3.陈志蓥，于广辉，张燕辉，隋妍萍，梁逸俭，胡诗珂，李晶，康鹤，王爽，一种改变双层石墨烯耦合性的方法及双层石墨烯，发明专利，专利号：ZL201911139788.3，已授权，授权时间：2023.4.7

4.陈志蓥，于广辉，张燕辉，隋妍萍，梁逸俭，胡诗珂，李晶，康鹤，王爽，一种反向转移石墨烯的方法，发明专利，专利号：ZL202010137684.5，已授权，授权时间：2022.11.4

5.康鹤，于广辉，张燕辉，陈志蓥，一种铂衬底上石墨烯的表征方法，发明专利，专利号：ZL202111404530.9，已授权，授权时间：2022.9.2

6.朱虹延，吴天如，陈吉，张超，时志远，于广辉，一种石墨烯薄膜的制备方法，发明专利，专利号：ZL201911030351.6，已授权，授权时间：2022.9.2

7.张燕辉，于广辉，葛晓明，张浩然，陈志蓥，隋妍萍，邓荣轩，一种基于干法清洗工艺制备铜衬底的方法，发明专利，专利号：ZL201510934979.4，已授权，授权时间：2019.4.30

8.张燕辉，于广辉，陈志蓥，王斌，隋妍萍，张浩然，张亚欠，李晓良，一种石墨烯的表征方法，发明专利，专利号：ZL201410181069.9，已授权，授权时间：2019.4.30

9.于广辉，吴天如，谢晓明，时志远，陈吉，张燕辉，隋妍萍，陈志蓥，一种过渡金属硫族化合物二维材料—石墨烯异质结构及其原位生长方法，发明专利，专利号：ZL201611019332.X，已授权，授权时间：2019.4.5

10.于广辉，张燕辉，隋妍萍，陈志蓥，邓荣轩，葛晓明，梁逸俭，胡诗珂，一种无粘连金属密堆生长石墨烯的方法，发明专利，专利号：ZL201611130948.4，已授权，授权时间：2019.3.1

11.张燕辉，于广辉，葛晓明，张浩然，陈志蓥，隋妍萍，邓荣轩，一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，发明专利，专利号：ZL201510933644.0，已授权，授权时间：2019.3.1

12.张燕辉，于广辉，陈志蓥，王斌，隋妍萍，张浩然，张亚欠，李晓良，一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，发明专利，专利号：ZL201410032320.5，已授权，授权时间：2018.6.26

13.奚明，胡兵，吴红星，吴堃，于广辉，张燕辉，陈志蓥，徐伟，张浩然，一种生长石墨烯薄膜的装置及其生长方法，发明专利，专利号：ZL201410196056.9，已授权，授权时间：2018.1.5

14.张燕辉，于广辉，陈志蓥，王彬，张浩然，便于观察金属衬底上化学气相沉积石墨烯表面褶皱分布的方法，发明专利，专利号：ZL201310237684.2，已授权，授权时间：2017.7.21

15.王斌，于广辉，赵志德，徐伟，张燕辉，陈志蓥，隋妍萍，一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法，发明专利，专利号：ZL201410177651.8，已授权，授权时间：2017.6.13

16.王斌，于广辉，赵智德，徐伟，隋妍萍，张燕辉，一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法，发明专利，专利号：ZL201410307391.1，已授权，授权时间：2017.4.19

17.张燕辉，于广辉，陈志蓥，王彬，张浩然，一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，发明专利，专利号：ZL201310009300.1，已授权，授权时间：2017.4.19

18.陈志蓥，于广辉，张燕辉，隋妍萍，王斌，张浩然，张亚欠，汤春苗，朱博，李晓良，一种辨别石墨烯连续膜完整性的方法，发明专利，专利号：ZL201410075073.7，已授权，授权时间：2016.8.17

19.张燕辉，于广辉，陈志蓥，王彬，张浩然，直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，发明专利，专利号：ZL201310236946.3，已授权，授权时间：2016.8.10

20.王斌，于广辉，赵智德，徐伟，隋妍萍，一种用于GaN单晶衬底的表面抛光方法，发明专利，专利号：ZL201310047961.3，已授权，授权时间：2016.5.25

21.陈志蓥，于广辉，张燕辉，隋妍萍，张浩然，张亚欠，汤春苗，朱博，李晓良，一种提高石墨烯表面洁净度的湿法腐蚀化学转移法，发明专利，专利号：ZL201410231250.6，已授权，授权时间：2016.1.20

教学工作

主讲课程

可靠性原理与失效分析