研究领域或方向

  研究领域围绕化合物半导体材料、器件与电路、二维薄膜材料与器件，主要包括氮化镓等宽禁带半导体材料与器件，石墨烯、TMDCs及hBN等二维材料与器件，目前主要开展高质量InP基半导体材料及高频低噪声器件和电路的研制工作。

教育工作经历

1989.09-1993.07 吉林大学 半导体物理与器件物理专业 本科

1993.09-1996.07 吉林大学 半导体物理与器件物理专业 硕士

1996.09-1999.07 中国科学院长春物理研究所 凝聚态物理专业 博士

1999.09-2002.03 日本千叶大学 VBL中心 博士后

2002.04-2007.12 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 副研究员 （硕导）

2009.01-2009.03 德国乌尔姆大学 访问学者

2008.01-2025.07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员 （2009.01起任博导）  

2025.07-至今  东莞理工学院 国际微电子学院 研究员 （领军人才B类）

学术成果介绍

长期从事第二代、第三代半导体以及二维薄膜的材料与器件研究工作，作为课题负责人承担过863、973、国家重大专项、国家自然科学基金、中国科学院、上海市等科研项目二十项。曾获得日本千叶大学“nanohana award”。实现了“氮化镓衬底材料制备技术”成果转化。在Small、ACS nano、Carbon等杂志共发表SCI论文100多篇，授权中国发明专利30多项，已转让14项，授权美国发明专利1项。培养了20多名硕士、博士研究生，获得了国家奖学金、中国科学院院长奖学金优秀奖、中国科学院三好学生标兵、北京市普通高等学校优秀毕业生等奖励多项。