个人简介

贾传宇，博士，获评“东莞市特色人才二类”，2010年获得北京大学物理学院博士学位。主要从事氮化物半导体光电子器件研发，主要从事III-V氮化物半导体光电子器件MOCVD外延技术研究，具体研究领域涉及高功率LED、蓝光LD、太阳能电池、六英寸及八英寸Si基电子功率器件等。先后发表SCI论文21篇，获得授权国家发明专利30项。论文被氮化物半导体领域的国内外知名高校和科研单位引用，论文引用率大于300次，其中单篇最高引用率76次。作为项目负责人承担1项国家自然科学基金青年基金项目《高可靠性高量子效率氮化镓基绿光激光器关键技术研究》，东莞市核心技术攻关前沿项目《面向非视距通讯领域的深紫外LED关键技术研究》。作为核心技术人员负参与多项国家级和地方重大项目，包括：1项国家863计划课题，1项国家国际科技合作项目，1项工信部电子信息产业发展基金项目，1项国家能源局国家能源应用技术研究及工程示范项目课题等。

教育背景

2000.9-2004.7 曲阜师范大学，物理学专业，本科

2004.9-2010.6 北京大学，凝聚态物理专业， 博士

工作经历

2000.9-2004.7 曲阜师范大学，物理学专业，本科

2004.9-2010.6 北京大学，凝聚态物理专业， 博士

工作经历

2010.7-2013.3 北京大学物理学院 博士后兼任中镓半导体MOCVD 研发部主任

2014.04 -2016.04 北京大学东莞光电研究院联合博士后

2016.07-2017.07 东莞市中镓半导体科技有限公司，MOCVD研发部经理

2017.07至今，东莞理工学院，集成电路学院 教授

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 面向Mini/Micro LED 显示领域的InGaN红光LED材料制备及器件关键技术研究,广东省基础与应用基础研究基金项目（区域联合基金-地区培育项目），2024-2026, 30万, 主持

2. 高可靠性高量子效率氮化镓基绿光激光器关键技术研究，国家自然科学基金项目：2019-2021，28万，主持

3. 面向非视距通讯领域的深紫外LED关键技术研究，东莞市核心技术攻关前沿项目，2019-2022，200万

4. GaN单晶新生长技术研究，国家重点研发计划青年科学家项目，2021-2025，300万，主持

（2）发表的学术论文和著作

[1] Chuanyu Jia*, Shihao Wang,Yuan Li, Qi Wang, Improvements in internal quantum efficiency and wavelength stability of InGaN orange and red MQWs grown on a semi-polar plane, Optics Express, (2025),33:38392-38402

[2] Chuanyu Jia, Yuan Li, Qi Wang*, Internal quantum efficiency improvement of InGaN-based red LED by using double V-pits layers as strain relief layer, Optics Express (2024),32:36489-36499.

[3] Chuanyu Jia, Chenguang He, Qi Wang*, Zhizhong Chen*, Performance improvement of InGaN LEDs by using strain compensated last quantum barrier and electron blocking layer, Optik - International Journal for Light and Electron Optics (2021),248:1-8.

[4] Chuanyu Jia, Chunliang Shen, Qi Wang*, Performance Improvement of InGaN Red Light-Emitting Diode by Using V-Pits Layer and Step-Graded GaN Barrier, Physica Status Solidi A (2023),220:1-13.

[5] Chuanyu Jia, Xiduo Hu, Qi Wang*, Zhiwen Liang, The Effect of Nanometer-Scale V-Pit Layer on the Carrier Recombination Mechanisms and Efficiency Droop of GaN-Based Green Light-Emitting Diodes, Physica Status Solidi A (2021),218:1-10.

（3）专利情况

1. 贾传宇，王红成，凌东雄,一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED 制备方法，发明专利，专利号：ZL201810523668.2 已授权，授权时间：2021.02.02

2. 贾传宇，一种基于氮化镓衬底的激光二极管及其制备方法，发明专利，专利号： ZL202010535414.X，已授权，授权时间：2021.11.23

3. 贾传宇，凌东雄，王红成，吕伟，王春华，康晓娇，胡西多，一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201910935597.1，已授权，授权时间： 2020.09.04

4. 贾传宇，胡西多，一种基于 AlN/PSS 复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201910942692.4，已授权，授权时间：2020.09.11

5. 贾传宇，一种基于 AlN/PSS 复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，发明专利，专

6. 利号：ZL202010535425.8，已授权，授权时间：2021.10.01

7. 贾传宇，一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法，发明专利，专利号：ZL202010547047.5，已授权，授权时间：2021.08.10

8. 贾传宇，王红成，胡西多，一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用，发明专利，专利号：ZL201811463191.X ，已授权，授权时间：2020.05.29

教学工作

（1）主讲课程

半导体器件

功率半导体器件与集成技术

模拟电子技术