个人简介

金智，博士，二级研究员，博士生导师，中国科学院百人计划学者，享受国务院政府特殊津贴专家。本科毕业于河北师范大学物理专业，后在吉林大学获凝聚态物理硕士学位和微电子学与固体电子学博士学位。曾先后在日本北海道大学、德国Duisburg-Essen大学、日本东京电气通信大学从事博士后和研究员工作，回国后任中国科学院微电子研究所研究员、研究室主任，2025年3月起入职东莞理工学院，任二级研究员。长期从事化合物半导体高频器件与集成电路研究，在GaAs、InP、GaN等材料体系的器件物理、工艺开发、建模及太赫兹、毫米波电路设计方面取得系统性创新成果：在国内率先研制成功满足W波段应用的InP基DHBT器件和工作频率大于40 GHz的InP DHBT分频器；研发成功国内速度最高的化合物半导体超高速直接数字频率合成器（DDS，10 GHz）和模数转换器（ADC，4 GSps）；基于自主工艺率先实现系列W波段单片集成电路（MMIC）及太赫兹肖特基二极管、混合集成电路，相关模块实现产品销售；成功开发5G基站用功率放大器芯片。主持国家科技重大专项（01、02、03专项）、国家自然科学基金重点项目、JKW JCJQ项目等国家级科研项目10余项；发表学术论文300余篇，授权发明专利70余项；获省部级科学技术进步奖二等奖、中国侨界贡献奖一等奖。现任超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术北京市重点实验室主任，中国指挥与控制学会电磁频谱安全与控制专业委员会委员以及《Journal of Semiconductor》等期刊编委。

教育背景

1989.9-1993.7 河北师范大学，物理，学士

1993.9-1996.7 吉林大学，凝聚态物理，硕士

1996.9-1999.5 吉林大学，微电子学与固体电子学，博士

工作经历

1999.5-2002.5 日本北海道大学，博士后

2002.5-2004.5 德国杜伊斯堡-埃森大学，研究员

2004.5-2006.10 日本东京电气通信大学，研究员

2006.10-2025.02 中科院微电子所，研究员

2011.8-2021.10 中科院微电子所，研究室主任/研究员

2025.03-至今 东莞理工学院，二级研究员

科学研究

（1）承担的研究项目

1. InP太赫兹异质异构集成技术，国家高技术产业发展项目，2020-2025，3100万元，主持；

2. 高频段5G基站用功率放大器试验样片及模块研究，国家科技重大专项03专项，2017-

2019，1836万元，主持;

3. 石墨烯电子器件与集成技术研究，国家科技重大专项02，2011-2014，2112万元，主持;

4. 太赫兹三端电子器件研究，国家重点基础研究发展计划（973计划），2010-2014，696万元，主持;

5. 太赫兹HEMT器件基础研究，国家自然科学基金重点项目，2015-2019，362万元，主持;

6. Graphene场效应晶体管及其集成技术研究，国家自然科学基金重点项目，2012-2016，290万元，主持;

7. 面向量子计算、深空探测的深低温工作的InP基HEMT研究，国家自然科学基金面上项目，2025-2028，54万元，主持;

8. 6G关键核心技术研究，北京市科委，2022-2025，200万元，主持;

9. 石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究，中科院重点部署项目，2012-2014，400万元，主持;

10. 3毫米微波器件与电路在片综合测试系统，中科院装备研制项目，2007-2009，380万元，主持;

（2）发表的学术论文和著作

[1]. Wenxiang Zhen, Ling Xiao, Shurui Cao, Yongbo Su, Zhi Jin*, A 35-GHz Bandwidth 30 GSa/s InP Track-and-Hold Amplifier using Enhanced fT-Doubler Technique, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (2022), 69(11)

[2]. Wenxiang Zhen, Ling Xiao, Shurui Cao, Yongbo Su, Zhi Jin*, RF Performance Improvement of InP Frequency Divider by Using Enhanced fT-Double Technique, IEEE Microwave and Wireless Components Letters (2022), 32(9)

[3]. Ling Xiao, Wenxiang Zhen, Shurui Cao, Yongbo Su, Zhi Jin*, A Broadband Static Frequency Divider up to 62 GHz in InP DHBT with Capacitive Degeneration, IEICE Electronics Express (2022), 19(9): 20220117

[4]. Shurui Cao, Zhi Jin*, Impact of Gate Offset in Gate Recess on DC and RF Performance of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs, Chinese Physics B (2022), 31(5): 058502

[5]. Bo Wang, Zhi Jin*, High-Performance InGaAs HEMTs on Si Substrates for RF Applications, Electronics (2022), 11(2): 259

[6]. Bo Wang, Zhi Jin*, Enhancement of fMAX of InP-based HEMTs by double-recessed offset gate process, Chinese Physics B (2022), 31(5): 058506

[7]. Songang Peng, Zhi Jin*, Electric-Field Induced Doping Polarity Conversion in Top-Gated Transistor Based on Chemical Vapor Deposition of Graphene, Crystals (2022), 12: 184

[8]. Yunpeng Yan, Zhi Jin*, Seeding-Layer-Free Deposition of High-k Dielectric on CVD Graphene for Enhanced Gate Control Ability, Crystals (2022), 12: 513

[9]. Yue Wang, Zhi Jin*, An electromagnetic simulation assisted small signal modeling method for InP double-heterojunction bipolar transistors, Chinese Physics B (2022), 31(6): 068502

[10]. Siyuan Feng, Zhi Jin*, Extrinsic equivalent circuit modeling of InP HEMTs based on full-wave electromagnetic simulation, Chinese Physics B (2022), 31(4): 047303

[11]. Hao Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchu Ye, Zhi Jin*, Investigation on Capacitance Collapse Induced by Secondary Capture of Acceptor Traps in AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode, Micromachines (2022), 13(5): 748

[12]. Hao Zhang, Xuanwu Kang, Yingkui Zheng, Hao Wu, Ke Wei, Xinyu Liu, Tianchu Ye, Zhi Jin*, Investigation on Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diode, Micromachines (2021), 12(11): 1296

[13]. Hui Kang, Zhi Jin*, Non-destructive Visualization of Graphene on Pt with Methylene Blue Surface Modification, SCIENCE CHINA Materials (2022), 65: 2763–2770

[14]. Shuo Wang, Zhi Jin*, Morphology Regulation of MoS2 Nanosheet-Based Domain Boundaries for Hydrogen Evolution Reaction, ACS Applied Nano Materials (2022), 5(2): 2273–2279

[15]. Shuo Wang, Zhi Jin*, Fast and controllable synthesis of AB-stacked bilayer MoS2 for photoelectric detection, 2D Materials (2022), 9: 015016

[16]. Wenxiang Zhen, Shaojun Li, Shurui Cao, Yongbo Su, Zhi Jin*, A 25-GSa/s InP DHBT Track-and-Hold Amplifier Using Active Peaking Input Buffer, IEEE Microwave and Wireless Components Letters (2021), 31(10): 1142-1145

[17]. Chaoyi Zhu, Songang Peng, Xiaorui Zhang, Yao Yao, Xinnan Huang, Yunpeng Yan, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Zhi Jin*, Reducing metal/graphene contact resistance via N, N-dimethylacetamide-assisted clean fabrication process, Nanotechnology (2021), 32(31): 315201

[18]. Xiaoyu Liu, Yong Zhang, Haoran Wang, Luwei Qi, Bo Wang, Jingtao Zhou, Wuchang Ding, Zhi Jin*, TSPEM Parameter Extraction Method and Its Applications in the Modeling of Planar Schottky Diode in THz Band, Electronics (2021), 10(13): 1540

[19]. Xiaorui Zhang, Yao Yao, Songang Peng, Chaoyi Zhu, Xinnan Huang, Yunpeng Yan, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Zhi Jin*, Stable p-type chemical doping of graphene with reduced contact resistance by single-layer perfluorinated polymeric sulfonic acid, Nanotechnology (2021), 32(15): 155705

[20]. Xinnan Huang, Jingyuan Shi, Yao Yao, Songang Peng, Dayong Zhang, Zhi Jin*, Layer thickness influenced irradiation effects of proton beam on MoS2 field effect transistors, Nanotechnology (2021), 32(13): 135204

[21]. Xiaorui Zhang, Huiping Zhu, Song'ang Peng, Guodong Xiong, Chaoyi Zhu, Xinnan Huang, Shurui Cao, Junjun Zhang, Yunpeng Yan, Yao Yao, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Lei Wang, Bo Li, Zhi Jin*, Radiation-hardened property of single-walled carbon nanotube film-based field-effect transistors under low-energy proton irradiation, Chinese Journal of Semiconductors (2021), 42(11): 112002

[22]. Shaojun Li, Yongbo Su, Hongliang Lv, Lei Zhou, Yimen Zhang, Yuming Zhang, Jun Hu, Fang Yang, Zhi Jin*, A broadband InP track-and-hold amplifier using emitter capacitive/resistive degeneration, IEEE Microwave and Wireless Components Letters (2020), 30(4): 391-394

[23]. Dayong Zhang, Zhi Jin*, Jingyuan Shi, Songang Peng, Xinnan Huang, Yao Yao, Yankui Li, Wuchang Ding, Dahai Wang, A uniform stable P-type graphene doping method with a gold etching process, RSC Advances (2020), 10: 3314-3318

[24]. Muhammad Asif, Peng Ding, Chen Chen, Xi Wang, Jan Saeedullah, Zhi Jin*, Analysis of Passivation Techniques in InP HEMTs and Implementation of an Analytical Model of fT Based on the Small Signal Equivalent Circuit, Journal of Nanoscience and Nanotechnology (2019), 19(5): 2537-2546

[25]. Songang Peng, Zhi Jin*, Yao Yao, Ling Li, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Xinnan Huang, Jiebin Niu, Yanhui Zhang, Guanghui Yu, Metal-Contact-Induced Transition of Electrical Transport in Monolayer MoS2: From Thermally Activated to Variable-Range Hopping, Advanced Electronic Materials (2019), 6(8): 1900042

[26]. Yao Yao, Xinnan Huang, Songang Peng, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Guanghui Yu, Qi Liu, Zhi Jin*, Reconfigurable Artificial Synapses between Excitatory and Inhibitory Modes Based on Single‐Gate Graphene Transistors, Advanced Electronic Materials (2019), 5(5): 1970026

[27]. Muhammad Asif, Xi Wang, Hua Zhao, Peng Ding, Saeedullah Jan, Zhi Jin*, Improved Characterization and Accurate Modelling of Drain Current Derivatives of InP Based HEMTs Devices, Journal of Nanoscience and Nanotechnology (2019), 19(7): 3887-3892

[28]. Yinghui Zhong, Wenbin Wang, Jie Yang, Shuxiang Sun, Mingming Chang, Zhiyong Duan, Zhi Jin*, Peng Ding, An improved empirical nonlinear model for InP-based HEMTs, Solid State Electronics (2019), 164

[29]. Xi Wang, Hongfei Yao, Yongbo Su, Muhammad Asif, Wuchang Ding, Peng Ding, Zhihang Tong, Zhi Jin*, Fundamental W-band InP DHBT-based Voltage-Controlled Oscillator with Wide Tuning Range and High Output Power, Journal of Infrared and Millimeter Waves (2019), 38(1): 27-31

[30]. Jun Hu, Muhammad Asif, Xi Wang, Shaojun Li, Xiaojuan Chen, Peng Ding, Yongbo Su, Zhi Jin*, A 30MHz–3GHz watt-level stacked-FET linear power amplifier, IEICE Electronics Express (2019), 16(11): 1-4

[31]. Lin Yang, Lin-An Yang, Taotao Rong, Zhi Jin*, Yue Hao, A five-octave broadband LNA MMIC using bandwidth enhancement and noise reduction technique, IEICE Electronics Express (2019), 16(7): 1-4

[32]. Lin Yang, Lin-An Yang, Taotao Rong, Yang Li, Zhi Jin*, Yue Hao, Codesign of Ka-Band Integrated GaAs PIN Diodes Limiter and Low Noise Amplifier, IEEE Access (2019), 7: 88275-88281

[33]. Hu Liu, Lin-An Yang, Yao Chen, Zhi Jin*, Yue Hao, Performance enhancement of the dual-metal gate In0.53Ga0.47As dopingless TFET by using a platinum metal strip insertion, Japanese Journal of Applied Physics (2019), 58(10)

[34]. Shuxiang Sun, Peng Ding, Zhi Jin*, Yinghui Zhong, Yuxiao Li, Zhichao Wei, Effect of electron irradiation fluence on InP-based high electron mobility transistors, Nanomaterials (2019), 9(7)

[35]. Shuxiang Sun, Mingming Chang, Mengke Li, Liuhong Ma, Yinghui Zhong, Yuxiao Li, Peng Ding, Zhi Jin*, Zhichao Wei, Effect of defects properties on InP-based high electron mobility transistors, Chinese Physics B (2019), 28(7): 078501

[36]. Muhammad Asif, Chen Chen, Peng Ding, Xi Wang, Zhi Jin*, Improved DC and RF performance of InAlAs/InGaAs InP based HEMTs using ultra-thin 15 nm ALD-Al2O3 surface passivation, Solid State Electronics (2018), 142: 36–40

[37]. Peng Ding, Chen Chen, Muhammad Asif, Xi Wang, Jiebin Niu, Feng Yang, Wuchang Ding, Yongbo Su, Dahai Wang, Zhi Jin*, Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs with Good DC and RF Performances, IEEE Journal of the Electron Devices Society (2018), 6(1): 49-54

[38]. Muhammad Asif, Peng Ding, Chen Chen, Xi Wang, Saeedullah Jan, Zhi Jin*, Comparative study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD surface passivation in T-shaped gate InAlAs/ InGaAs InP based HEMTs, Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics (2018), 13(6): 856-863

[39]. Muhammad Asif, Chen Chen, Peng Ding, Xi Wang, Zhi Jin*, Improved DC and RF performance of InAlAs/InGaAs InP based HEMTs using Ultra-thin 15 nm ALD-Al2O3 surface passivation, Solid-State Electronics (2018), 142: 36-40

[40]. Shuxiang Sun, Mingming Chang, Chao Zhang, Chao Cheng, Yuxiao Li, Yinghui Zhong, Peng Ding, Zhi Jin*, Zhichao Wei, Proton Irradiation Effect on InP-Based High Electron Mobility Transistor by Numerical Simulation with Non-Uniform Induced Acceptor-Like Defects, Physica Status Solidi-Rapid Research Letters (2018), 12(6)

[41]. Shu-Xiang Sun, Zhi-Chao Wei, Peng-Hui Xia, Wen-Bin Wang, Zhi-Yong Duan, Yu-Xiao Li, Ying-Hui Zhong, Peng Ding, Zhi Jin*, Effects of proton irradiations at different incident angles on InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs, Chinese Physics B (2018), 27(2)

[42]. Xiaoming Ge, Yanhui Zhang, Zhiying Chen, Yijian Liang, Shike Hu, Yanping Sui, Guanghui Yu, Songang Peng, Zhi Jin*, Xinyu Liu, Effects of carbon-based impurities on graphene growth, Physical Chemistry Chemical Physics (2018), 20: 15419

[43]. Yanping Sui, Zhiying Chen, Yanhui Zhang, Shike Hu, Yijian Liang, Xiaoming Ge, Jing Li, Guanghui Yu, Songang Peng, Zhi Jin*, Xinyu Liu, Growth promotion of vertical graphene on SiO2/Si by Ar plasma process in plasma-enhanced chemical vapor deposition, RSC Advances (2018), 8: 18757-18761

[44]. Songang Peng, Zhi Jin*, Ling Li, Yao Yao, Dayong Zhang, Jingyuan Shi, Xinnan Huang, Jiebin Niu, Yanhui Zhang, Guanghui Yu, How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors, Advanced Electronic Materials (2018), 4(8)

[45]. Xi Wang, Muhammad Asif, Zhihang Tong, Zhi Jin*, Yongbo Su, Hua Zhao, Wuchang Ding, Peng Ding, Push-Push Oscillators Operating at G-band Using InP DHBT Technology, Microwave Journal (2018), 61(9): 66-76

[46]. Lin Yang, Lin-An Yang, Taotao Rong, Zhi Jin*, Yue Hao, 1–30GHz ultra-wideband low noise amplifier with on-chip temperature-compensation circuit, IEICE Electronics Express (2018), 15(20): 1-7

（3）专利情况

1.张国斌,赵妙,金智,许恒宇,何在田,万彩萍,刘新宇，一种碳化硅功率器件封装结构，发明专利，专利号：ZL201710947525.X，已授权，授权时间：2019.9.27

2.金智,王少青,毛达诚,史敬元,彭松昂,张大勇，一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，发明专利，专利号：ZL201610306295.4，已授权，授权时间：2019.5.17

3.张大勇,金智,史敬元,彭松昂，吸波材料及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201610270899.8，已授权，授权时间：2019.4.2

4.金智,王少青,毛达诚,史敬元,彭松昂,张大勇，一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，发明专利，专利号：ZL201610304217.0，已授权，授权时间：2019.3.12

5.金智,王少青,毛达诚,史敬元,彭松昂,张大勇，石墨烯场效应管的制备方法及形成的石墨烯场效应管，发明专利，专利号：ZL201610269687.8，已授权，授权时间：2019.2.12

6.孙昀,贾锐,姜帅,陶科,孙恒超,戴小宛,金智,刘新宇，一种背结背接触太阳能电池，发明专利，专利号：ZL201611255784.8，已授权，授权时间：2019.2.5

7.彭松昂,金智,张大勇,史敬元，减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，发明专利，专利号：ZL201610266868.5，已授权，授权时间：2018.11.20

8.金智,王少青,毛达诚,史敬元,彭松昂,张大勇，一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，发明专利，专利号：一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，已授权，授权时间：2018.11.9

9.金智,毛达诚,王少青,彭松昂,史敬元,张大勇，金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管，发明专利，专利号：ZL201610306028.7，已授权，授权时间：2018.9.11

10.梁擎擎,金智,钟汇才,朱慧珑,刘新宇，一种半导体结构及其制造方法，发明专利，专利号：ZL201310282319.3，已授权，授权时间：2018.7.13

11.张大勇,金智,史敬元,彭松昂，基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法，发明专利，专利号：ZL201610266171.8，已授权，授权时间：2018.6.29

12.麻芃,金智,史敬元,王少青,张大勇,王选芸，通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法，发明专利，专利号：ZL201410535650.6，已授权，授权时间：2018.5.22

13.张大勇,金智,史敬元,彭松昂，图形化石墨烯及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201610270900.7，已授权，授权时间：2018.3.20

14.张大勇,金智,史敬元,彭松昂，吸波材料制备方法及形成的吸波材料，发明专利，专利号：ZL201610266170.3，已授权，授权时间：2018.3.2

15.贾锐,桂羊羊,孙恒超,陶科,戴小宛,金智,刘新宇，一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，发明专利，专利号：ZL201611129480.7，已授权，授权时间：2018.2.2

16.孙恒超,贾锐,陶科,戴小宛,金智,刘新宇，一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法，发明专利，专利号：ZL201611130606.2，已授权，授权时间：2018.2.2

17.张大勇,金智,史敬元,彭松昂，基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法，发明专利，专利号：ZL201610266672.6，已授权，授权时间：2017.12.29

18.周磊,吴旦昱,江帆,武锦,金智,刘新宇，一种四相位数模转换方法及数模转换器，发明专利，专利号：ZL201410163396.1，已授权，授权时间：2017.12.15

19.周磊,吴旦昱,黄银坤,武锦,金智,刘新宇，具有延迟偏差检测和校准功能的数模转换器，发明专利，专利号：ZL201510888096.4，已授权，授权时间：2017.9.8

20.金智,彭松昂,史敬元,王少青,王选芸,张大勇，无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法，发明专利，专利号：ZL201410763616.4，已授权，授权时间：2017.7.28

21.贾锐,冯泽增,窦丙飞,金智,刘新宇，一种结合氧化锌纳米结构超小绒面太阳电池及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201410776650.5，已授权，授权时间：2017.4.5

22.史敬元,金智,张大勇,麻芃,彭松昂，一种碳基半导体器件制备工艺中对衬底进行预处理的方法，发明专利，专利号：ZL201310414732.0，已授权，授权时间：2017.3.29

23.张大勇,金智,史敬元,麻芃,王选芸，一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法，发明专利，专利号：ZL201410777633.3，已授权，授权时间：2017.3.1

24.张大勇,金智,史敬元,麻芃,王选芸，一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法，发明专利，专利号：ZL201410779092.8，已授权，授权时间：2017.2.22

25.金智,彭松昂,史敬元,王少青,王选芸,张大勇，一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法，发明专利，专利号：ZL201410764087.X，已授权，授权时间：2017.1.18

26.许靓,姚鸿飞,丁芃,苏永波,金智，探针型波导微带转换装置，发明专利，专利号：ZL201620229135.X，已授权，授权时间：2016.10.12

27.杨成樾,周静涛,金智,任田昊，一种肖特基接触孔制备过程中可测试性的图形监控方法，发明专利，专利号：ZL201410222244.4，已授权，授权时间：2016.6.15

28.史敬元,金智,麻芃,张大勇,彭松昂，一种提高碳基半导体器件迁移率的衬底处理方法，发明专利，专利号：ZL201310414069.4，已授权，授权时间：2016.6.8

29.史敬元,金智,张大勇,麻芃,彭松昂，一种可调控碳基半导体器件载流子浓度的表面处理方法，发明专利，专利号：ZL201310414720.8，已授权，授权时间：2016.6.29

30.麻芃,金智,史敬元,张大勇,彭松昂，一种碳基场效应晶体管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201310247317.0，已授权，授权时间：2016.1.13

31.麻芃,金智,史敬元,张大勇,彭松昂,陈娇，一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201310228701.6，已授权，授权时间：2016.2.10

32.金智,彭松昂,麻芃,张大勇,史敬元,陈娇，一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201310226455.0，已授权，授权时间：2016.1.13

33.张大勇,金智,史敬元,麻芃，一种石墨烯导电薄膜的制备方法，发明专利，专利号：ZL201310311171.1，已授权，授权时间：2015.12.23

34.汪宁,苏永波,金智，一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，发明专利，专利号：ZL201310068641.6，已授权，授权时间：2015.11.11

35.金智,麻芃,郭建楠,苏永波,王显泰，一种碳基场效应晶体管及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201110002672.2，已授权，授权时间：2015.10.28

36.贾锐,邢钊,陈晨,张巍,张代生,金智,刘新宇，一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，发明专利，专利号：ZL201310360950.0，已授权，授权时间：2015.8.5

37.汪宁,苏永波,金智，一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，发明专利，专利号：ZL201310068591.1，已授权，授权时间：2015.7.15

38.江帆,林庆良,周磊,陈建武,吴旦昱,武锦,金智,刘新宇，折叠信号放大器，发明专利，专利号：ZL201210070765.3，已授权，授权时间：2015.6.17

39.杨成樾,周静涛,金智，肖特基二极管空气桥制备的监控方法，发明专利，专利号：ZL201210335699.8，已授权，授权时间：2015.5.20

教学工作

主讲课程

电子信息工程专业导论

获奖与荣誉

科研奖励

1.中国科技产业化促进会科学技术奖一等奖，科学技术奖，中国科学技术部，2025，排名4

2.中国侨届贡献奖一等奖，社会力量奖，中国侨联，2022，排名1

3.InP基毫米波电子器件与电路技术，省部级科学技术进步奖项二等奖，省部级，2020，排名1

4.国务院政府特殊津贴，政府特殊津贴，国务院，2017，排名1

5.中国科学院高端人才，人才计划，中国科学院，2008，排名1