副教授&副研究员

  • 李媛特聘副研究员/硕士生导师
    个人主页:https://sme.dgut.edu.cn/info/1125/1304.htm
    研究方向:宽禁带化合物半导体材料与器件
        
个人简介

李媛,博士。本科(2015年)毕业于郑州大学,研究生(2020年)毕业于华南理工大学,获材料科学与工程专业工学博士学位,2020年7月入职东莞理工集成电路学院(国际微电子学院)。在《IEEE Transactions on Electron Devices》、《Optics Express》、《Journal of Materials Chemistry C》等国际著名期刊发表研究论文十余篇,授权发明专利三项,成果获国际半导体杂志《Semiconductor today》专题报道。现主持国家自然科学基金和广东省自然科学基金各一项,主要从事宽禁带化合物半导体材料与光电信息功能器件等方面研究。

教育背景

2011.09-2015.07 郑州大学,材料科学与工程专业,本科

2015.09-2020.06 华南理工大学,材料学专业(硕博连读),博士

教育背景

2020.07-2022.06 东莞理工学院电子工程与智能化学院,讲师

2022.06-2023.03 东莞理工学院集成电路学院(国际微电子学院),讲师

2023.03-至今 东莞理工学院集成电路学院(国际微电子学院),特聘副研究员

科学研究

(1)承担的研究项目

1. Si/石墨烯异质衬底上GaN基紫外探测器的缺陷控制,国家自然科学基金青年基金项目,2023-2025,30万元,主持;

2. GaN基紫外探测器的研制及其缺陷控制,广东省粤莞联合青年基金项目,2022-2024,10万元,主持。

(2)发表的学术论文和著作

[1]. Yuan Li, Kaizhong Xiao, Zefan Lin, et al. High-performance ultraviolet photodetectors based on Ga2O3/GaN gradient heterojunction, IEEE Transactions On Electron Devices(2025) ,72(8): 4226-4231.

[2].Yuan Li*, Chaorong Zhang, Jing Lin, et al. Threading dislocations reduction of GaN-on-Si by introducing AlN/3D-GaN with SiN interlayer for photodetectors, Materials Science in Semiconductor Processing(2024), 172: 108089.

[3]. Chuanyu Jia, Yuan Li*, Qi Wang. Internal quantum efficiency improvement of InGaN-based red LED by using double v-its layers as strain relief layer, Optics Express(2024), 32(21): 36489.

[4]. Yuan Li, Zhiheng Xing , Yulin Zheng, et al. High-efficiency near-UV light-emitting diodes on Si substrates with InGaN/GaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells, Journal of Materials Chemistry C( 2020), 8(3): 883-888.

[5]. Yuan Li, Jianyu Lan, Wenliang Wang*, et al. 395 nm GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates with a high wall-plug efficiency of 52.0%@350 mA, Optics Express( 2019), 27(5): 7447-7457.

[6] Yuan Li, Wenliang Wang*, Xiaochan Li, et al. Stress and dislocation control of GaN epitaxial films grown on Si substrates and their application in high-performance light-emitting diodes, Journal of Alloys and Compounds(2018), 771: 1000-1008.

[7] Yuan Li,Wenliang Wang*, Liegen Huang, High-performance vertical GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates, Journal of Materials Chemistry C(2018) , 6(42): 11255-11260.

(3)专利情况

1.李媛,邹佳豪,林泽帆,一种电路板缺陷检测系统及方法,发明专利,专利号:ZL 202410809562.4,已授权,授权时间:2025.2.11

2.李媛,林泽帆,一种PCB板视觉检测装置及方法,发明专利,专利号:ZL202510811195.6,已授权,授权时间:2026.3.3

3.李媛,叶少豪,一种基于机器视觉的半导体表面缺陷检测方法及系统,发明专利,专利号:ZL202510605291.5,已授权,授权时间:2026.3.3

教学工作

(1)主讲课程

半导体物理

半导体物理与器件

半导体材料

MATLAB与应用

LED技术及应用

专业英语(微电子)

(2)承担的教研项目

1.半导体物理,东莞理工学院智慧教室示范课堂教改专项建设项目,2024-2025.

获奖与荣誉

指导技能大赛奖励

1.指导学生参加2025全国大学生集成电路创新创业大赛获得省级二等奖1个,

2.指导学生参加2025中国蓝桥杯大赛获得省级2等奖2个

3.指导学生参加2024中国蓝桥杯大赛获得省级2等奖2个

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