研究领域或方向

贾传宇，男，籍贯山东枣庄，副研究员，获评“东莞市特色人才二类”，2010年获得北京大学物理学院博士学位。主要从事氮化物半导体光电子器件研发，主要从事III-V氮化物半导体光电子器件MOCVD外延技术研究，具体研究领域涉及高功率LED、蓝光LD、太阳能电池、六英寸及八英寸Si基电子功率器件等。先后发表SCI论文21篇，获得授权国家发明专利30项。论文被氮化物半导体领域的国内外知名高校和科研单位引用，论文引用率大于300次，其中单篇最高引用率76次，引用论文的知名科研单位包括美国UCSB,、南京大学、台湾大学等。作为项目负责人承担1项国家自然科学基金青年基金项目《高可靠性高量子效率氮化镓基绿光激光器关键技术研究》，东莞市核心技术攻关前沿项目《面向非视距通讯领域的深紫外LED关键技术研究》。作为核心技术人员负参与多项国家级和地方重大项目，包括：1项国家863计划课题，1项国家国际科技合作项目，1项工信部电子信息产业发展基金项目，1项国家能源局国家能源应用技术研究及工程示范项目课题等。

教育工作经历

2004.09-2010.06, 北京大学物理，理学博士学位；

 2010.07-2013.03, 北京大学物理学院做博士后；

 2014 .04 -2016.04, 北京大学东莞光电研究院联合博士后；

2016.07-2017.07, 东莞市中镓半导体科技有限公司，MOCVD研发部经理；

2017.07至今，东莞理工学院，国际微电子学院 副研究员；

 教学工作：

 讲授课程：《半导体器件》，《模拟电子技术》，《数字电子技术》，《LED技术及其应用》

学术成果介绍

代表性论文：

（1）Performance improvement of InGaN LEDs by using strain compensated last quantum barrier and electron blocking layer ，Optik - International Journal for Light and Electron Optics ，2021年248卷。

（2）Performance Improvement of InGaN Red Light-Emitting Diode by Using V-Pits Layer and Step-Graded GaN Barrier，Phys. Status Solidi A，2023年220卷。

（3）Improvement of electrostatic discharge characteristics of InGaN/GaN MQWs light-emitting diodes by inserting an n+-InGaN electron injection layer and a p-InGaN/GaN hole injection layer，Semiconductor Science and Technology，2012年27卷。

（4）Performance improvement of GaN-based LEDs with step stage InGaN/GaN strain relief layers in GaN-based blue LEDs，Optics Express，2013年 21卷8444页。

（5）Spontaneous luminescence polarizations of wurtzite InGaN/GaN quantum wells，Applied Physics Letters，2008年 93卷 171114页。

（6）Polarization of edge emission from III-nitride light emitting diodes of emission wavelength from 395nm to 455nm，Applied Physics Letters，2007年 90卷211112页。

（7）Length dependence of polarization in spontaneous edge emissions from InGaN/AlGaN MQWs laser diodes，Phys.stat.sol.(a)，2007年 1卷 257 页。

授权国家发明专利：

（1）采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，贾传宇 殷淑仪 高宗伟 孙永建 张国义，专利号：201210151216.9，已授权；

（2）一种GaN衬底的制备方法，于彤军 龙浩 张国义 吴洁君 贾传宇 杨志坚，专利号：201110117438.4，已授权；

（3）一种制备LED器件出光结构的方法， 孙永健 于彤军 张国义 贾传宇 田朋飞 邓俊静，专利号：201010150953.8，已授权；

（4）一种发光二极管的制备方法， 于彤军 龙浩 贾传宇 杨志坚 张国义，专利号：201110196359.7，已授权；

（5）.图形化GaN衬底的制备方法，张国义 孙永健 贾传宇 陆羽 刘鹏 付星星 杨志坚 童玉珍 廉宗禺，专利号：201010617750.5 ，已授权；

（6）一种图形化衬底， 孙永健 张国义 贾传宇 于彤军 徐承龙 童玉珍 廉宗隅，专利号：201110102031.4，已授权；

（7）一种GaN衬底的制备方法， 于彤军 龙浩 张国义 吴洁君 贾传宇 杨志坚 王新强，专利号：201110117435.0，已授权；

（8）一种制备新型GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器， 发明人：贾传宇、张国义、童玉珍，申请号：201410504147.4，专利类型：发明专利，法律状态：已公开，已授权。

（9）一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法，贾传宇 于彤军 殷淑仪 张国义 童玉珍，申请号：201410836566.8，已公开，已授权。

（10）一种高亮度近紫外LED及其制备方法，贾传宇 于彤军 殷淑仪 张国义 童玉珍，申请号：201410836533.3，已公开，已授权。

（11）硅衬底上III族氮化物外延薄膜的选区生长方法及结构，于彤军 冯晓辉 贾传宇 张国义，申请号：201510050080.6，已公开，已授权。

（12）一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外 LED 制备方法，贾传宇，王红成，凌东雄，专利号：ZL201810523668.2，(20210202 授权：CN108899398B)；

（13）一种基于氮化镓衬底的激光二极管及其制备方法，.贾传宇，专利号： ZL202010535414.X，20211123 已授权，授权公告号：CN111697427B。

（14）贾传宇，凌东雄，王红成，吕伟，王春华，康晓娇，胡西多，一种基于氮化镓单晶衬底的激光二极管及其制备方法，专利号：ZL201910935597.1， 20200904 已授权，授权公告号：CN110729631B。

（15）贾传宇，胡西多，一种基于 AlN/PSS 复合衬底的高亮度发光二极管及其制备方法，专利号：ZL201910942692.4，20200911 已授权，授权公告号： CN110729383B。

（16）贾传宇，一种基于 AlN/PSS 复合衬底的深紫外发光二极管及其制备方法，专利号：ZL202010535425.8，20211001 已授权，授权公告号：CN111697112B。

（17），贾传宇，一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法，专利号： ZL202010547047.5，20210810 已授权，授权公告号：CN111697428B。

（18）贾传宇，王红成，胡西多，一种非极性面氮化镓衬底外延结构及其制备方法与应用，专利号：ZL201811463191.X，20200529 已授权，授权公告号： CN110289343B。