教育经历

1. 2013/09-2018/06，中科院半导体所，凝聚态物理，硕博连读（推荐免试），导师：赵建华

2. 2009/09-2013/06，北京科技大学，应用物理系，学士

科研与学术工作经历

1. 2018/07-2020/07，中科院半导体所，半导体超晶格国家重点实验室，博士后合作导师：郑厚植 院士

2. 2020/09-2022.05，中科院半导体所，半导体超晶格国家重点实验室，助理研究员

3. 2022.06至今，东莞理工学院，国际微电子学院，特聘副研究员

参加科研项目（课题）情况

1. 青年科学基金项目，12004374，强垂直磁各向异性亚铁磁薄膜电流诱导磁化翻转研究，2021/01-2023/12，在研中，课题负责人

2. 中科院战略性先导科技专项（B类）项目，XDB44000000，存算一体基础器件与系统前沿科学，2020/01 -2024/12，在研中，项目骨干

3. 中科院前沿科学重点研究计划项目，QYZDY-SSW-JSC015，第三代磁存储器的新材料及器件原理研究，2016/01-2020/12，已结题，项目骨干

4. 科技部战略性先进电子材料重点专项，2018YFB0407600，高密度磁存储材料及集成技术研究，2018/07-2022/06，在研中，项目骨干

5. 国家自然科学基金重点项目，61334006，新型半导体基垂直磁各向异性材料及器件，2014/01-2018/12，已结题，参加

代表性研究成果

[1]X. P. Zhao, H. L. Sun, S. C. Tong, R. K. Han, H. R. Qin, and J. H. Zhao*, Appl. Phys. Lett. 123, 042407 (2023)

[2]R. K. Han, L. Liu, H. L. Sun, H. R. Qin, X. P. Zhao*, D. Pan, D. H. Wei, J. H. Zhao*, Phys. Rev. Appl. 19, 024033 (2023).

[3] X. P. Zhao and J. H. Zhao*, Adv. Mater. Interfaces 2201606 (2022).

[4] X. P. Zhao, S. W. Mao, H. L. Wang, D. H. Wei, and J. H. Zhao*, Appl. Phys. Lett. 118, 092401 (2021).

[5] X. P. Zhao, J. Lu, S. W. Mao, Z. F. Yu, D. H. Wei, and J. H. Zhao*, Appl. Phys. Lett. 115, 142405 (2019).

[6] X. P. Zhao, J. Lu, S. W. Mao, Z. F. Yu, D. H. Wei, and J. H. Zhao*, Appl. Phys. Lett. 112, 042403 (2018).

[7] X. P. Zhao, D. H. Wei, J. Lu, S. W. Mao, Z. F. Yu, and J. H. Zhao*, Chin. Phys. Lett. 35, 087501 (2018).

[8] X. P. Zhao, J. Lu*, S. W. Mao, Z. F. Yu, H. L. Wang, X. L. Wang, D. H. Wei, and J. H. Zhao*, J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 285002 (2017).

[9]R. K. Han, X. P. Zhao, H. R. Qin, H. L. Sun, H. L. Wang, D. H. Wei, and J. H. Zhao, Phys. Rev. B 107, 134422 (2023).

[10]H. R. Qin, D. H. Xie, X. P. Zhao, R. K. Han, H. L. Sun, M. Y. Ma, Z. C, Xie, D. H. Wei, X. Z. Ruan, Y. B. Xu, and J. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 123, 142401 (2023).

[11] T. R. Jiang X. P. Zhao, Z. F. Chen, Y. Y. You, T. S. Lai, J. H. Zhao, Materials Today Physics, 100723 (2022).

[12] I. Unzueta, H. P. Gunnlaugsson, T. E. Mølholt, H. Masenda, A. M. Gerami, P. Krastev, D. V. Zyabkin, K. Bharuth-Ram, D. Naidoo, S. Ólafsson, Fernando Plazaola, J. Schell, B. C. Qi, X. P. Zhao, J. X. Xiao, J. H. Zhao, R. Mantovan, physica status solidi (b) (2022).

[13] Q. Q. Wei, H. L. Wang*, J. L. Ma, X. P. Zhao, and J. H. Zhao*, J. Phys. Condens. Matter 33, 315702 (2021).

[14] S. C. Tong, X. P. Zhao, D. H. Wei*, and J. H. Zhao, Phys. Rev. B 101, 184434 (2020).

[15] Q. Q. Wei, H. L. Wang*, S. C. Tong, J. L. Ma, X. P. Zhao, and J. H. Zhao, Semicond. Sci. Technol. 36, 025002 (2020).

[16] X. L. Wang, H. L. Wang*, J. L. Ma, X. P. Zhao, and J. H. Zhao*, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 6615 (2019).

[17] K. K. Meng, L. J. Zhu, Z. H. Jin, E. K. Liu, X. P. Zhao, I. A. Malik, Z. G. Fu, Y. Wu, J. Miao, X. G. Xu, J. X. Zhang, J. H. Zhao, and Y. Jiang*, Phys. Rev. B 100, 184410 (2019).

[18] Z. F. Yu, J. Lu, H. L. Wang, X. P. Zhao, D. H. Wei, J. L. Ma, S. W. Mao, and J. H. Zhao*, Chin. Phys. Lett. 36, 067502 (2019).

[19] S. W. Mao, J. Lu, H. L. Wang, X. P. Zhao, D. H. Wei, J. H. Zhao, J. Phys. D: Appl. Phys. 52, 405002 (2019).

[20] K. K. Meng, X. P. Zhao, P. F. Liu, Q. Liu, Y. Wu, Z. P. Li, J. K. Chen, J. Miao, X. G. Xu, J. H. Zhao, and Y. Jiang*, Phys. Rev. B 97, 060407 (2018).

[21] S. W. Mao, J. Lu*, X. P. Zhao, X. L. Wang, D. H. Wei, J. Liu, J. B. Xia, and J. H. Zhao*, Sci. Rep. 7, 43064 (2017).

[22] J. Lu, S. W. Mao, X. P. Zhao, X. L. Wang, J. Liu, J. B. Xia, P. Xiong*, and J. H. Zhao*, Sci. Rep. 7, 16990 (2017).

[23] K. K. Meng, J. Miao, X. G. Xu, Y. Wu, X. P. Zhao, J. H. Zhao, and Y. Jiang*, Appl. Phys. Lett. 110, 142401 (2017).

[24] K. K. Meng, J. Miao, X. G. Xu, Y. Wu, X. P. Zhao, J. H. Zhao, and Y. Jiang*, Phys. Rev. B 94, 214413 (2016).

授权发明专利

[1] 赵旭鹏，赵建华，“一种全电学调控的多功能自旋轨道力矩型器件及制备方法”，专利授权号：201910535412.8。

[2] 鲁军，赵旭鹏，毛思玮，赵建华，“L1₀-MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法”，专利授权号：201610496714.5。

[3] 鲁军，毛思玮，赵旭鹏，赵建华，“Heusler合金为插层的MnGa基垂直磁性隧道结及制备方法”，专利授权号：201610552010.5。