个人简介

唐鑫，博士。本科（2018 年）毕业于南昌大学，研究生（2025年）毕业于华南理工大学，获材料科学与工程专业工学博士学位，2025年6月入职东莞理工学院集成电路学院（国际微电子学院）。在《Nano-Micro Letters》、《Advanced Functional Materials》、《Acs Nano》等国际著名期刊发表研究论文十余篇，授权发明专利四项。主要从事化合物半导体材料制备及光电芯片研究。

教育背景

2014.09-2018.07 南昌大学，新能源材料与器件专业，本科

2018.09-2021.06 华南理工大学，材料工程专业，硕士

2021.09-2025.06 华南理工大学，材料科学与工程专业，博士

工作经历

2025.6-至今 东莞理工学院集成电路学院（国际微电子学院）讲师

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 高频宽带移动通信用滤波器关键技术研究及产业化应用，国家重点研发计划，2022-2025，2000万，参与

2. 基于二维III族氮化物的紫外光电探测器材料生长机理及器件物理研究，国家自然科学基金面上项目，2022-2025，58万，参与

（2）发表的学术论文和著作

[1]Xin Tang, Hongsheng Jiang, Zhengliang Lin, et al., Wafer-scale vertical 1D GaN nanorods/2D MoS2/PEDOT:PSS for piezophototronic effect enhanced self-powered flexible photodetectors, Nano-Micro Letters(2024), 40820.

[2]Xin Tang, Yulin Zheng, Ben Cao, et al., GaN nanowire/Nb-doped MoS2 nanoflake heterostructures for fast UV−visible photodetectors, ACS Applied Nano Materials(2022), 5, 4515−4523.

[3]Yulin Zheng, Xin Tang, Wenliang Wang, et al., Large-size ultrathin α-Ga2S3 nanosheets toward high-performance photodetection, Advanced Functional Materials(2020), 31, 2008307.

[4]Yulin Zheng, Xin Tang, Wenliang Wang, et al., Vertically aligned GaN nanorod arrays/p-Si heterojunction self-powered UV photodetector with ultrahigh photoresponsivity, Optics Letters(2020), 45, 4843-4846.

[5]Yulin Zheng, Ben Cao, Xin Tang, et al., Vertical 1D/2D heterojunction architectures for self-powered photodetection application: GaN nanorods grown on transition metal dichalcogenides, Acs Nano 2022, 16, 2798-2810.

（3）专利情况

1.唐鑫，李国强，郑昱林，一种MXenes上低维AlN材料制备方法及应用，发明专利，专利号：ZL 202210972392.2，已授权，授权时间：2025.6.3

2.唐鑫，李国强，郑昱林，一种MoS2上低维AlN材料制备方法及应用，发明专利，专利号：ZL 202210972481.7，已授权，授权时间：2025.5.30

3.李国强，唐鑫，王文樑，胡智凯，一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201911172837.3，已授权，授权时间：2024.8.2

4.李国强，唐鑫，王文樑，胡智凯，一种晶圆级MoS2单层薄膜制备方法，发明专利，专利号：ZL201911018812.8，已授权，授权时间：2022.5.24

教学工作

主讲课程

数字集成电路设计

获奖与荣誉

科研奖励

1. 强芯科技-5G体声波滤波器国产化开拓者，2023年度中国国际“互联网+”大学生创新创业大赛金奖，教育部等，2023.04，排名1

2. 极性可控GaN外延材料与芯片技术，2024年度有色金属工业技术发明奖一等奖，中国有色金属学会，2024.12，排名6