教育工作经历

2014-2018 福州大学物理与信息工程学院  本科

2018-2025 厦门大学电子科学与技术学院  硕博连读

学术成果介绍

1. 面上项目：《面向通信与显示应用的新型MicroLED器件制备及性能分析》，金额：48万元。

2、福建省杰青项目：《高稳定低串扰高效率Micro-LED全彩器件关键技术研究》，金额：30万元。

3、厦门市重大项目：《Micro-LED显示技术开发项目》，金额：1633万元。

4、厦门市横向项目：《智能物联与人机交互联合研发中心》，金额：240万元。

5、校企联合项目：《基于国产芯片的多功能示波器的研发及产业化》，金额：100万元。

比赛竞赛

1. 第二十届中国研究生电子设计竞赛全国一等奖（入围研电之星评选），光驭信息自适应分选平台，2025年。

2. 第十七届中国研究生电子设计竞赛华东赛区一等奖，数字孪生AR智能眼镜技术引领者，2022年。

3. 第三届福建省研究生电子设计竞赛一等奖，透明Micro-LED显示屏领跑者，2021年。

4. 第十六届中国研究生电子设计竞赛华东赛区一等奖，透明Micro-LED显示屏，2021年。

科研成果

1、发表论文（近五年，作为第一/共一/共通讯作者发表论文28篇）：

[1] S. Q. Lai, et al. Photoluminescence of green InGaN/GaN MQWs grown on pre-wells. Chinese Physics B, 2020, 29(12): 27802-27802. ( Q2, IF= 1.7 )

[2] S. Q. Lai, et al. Theoretical study and optimization of the green InGaN/GaN multiple quantum wells with pre-layer. Superlattices and Microstructures, 2021, 155(12): 1069061. ( Q2, IF= 3.1 )

[3] S. Q. Lai, et al. The impacts of sidewall passivation via atomic layer deposition on GaN-based flip-chip blue mini-LEDs, Journal of Physics D: Applied Physics, 2022, 55(37): 374001. ( Q2, IF= 3.4 )

[4] S. Q. Lai, et al. Improved modulation bandwidth of blue mini-LEDs by atomic-layer deposition sidewall passivation, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(9): 4936. ( Q2, IF= 3.1 )

[5] S. Q. Lai, et al. Green InGaN/GaN multiple-muantum-wells with pre-layer for high-efficiency mini-LEDs, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(6): 907. ( Q2, IF= 4.9 )

[6] T. Z. Wu†, S. Q. Lai†, et al. Recent developments in deep-ultraviolet sterilization of human respiratory RNA viruses, Opto-Electronic Advances, 2023 6(9): 230154. ( Q1, IF= 14.1 )

[7] K. W. Peng†, S. Q. Lai†, et al. AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes with varied thickness of sidewall passivation via atomic-layer-deposition, IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(11): 5727. ( Q2, IF= 3.1 )

[8] S. Q. Lai†, S. B. Liu†, et al. Applications of lasers: A promising route toward low-cost fabrication of high-efficiency full-color micro-LED displays. Opto-Electronic Science, 2023, 2: 230028. ( 高起点新刊 )

[9] T. W. Lu†, S. Q. Lai†, Y. R. Dai, et al. Improving modulation bandwidth and detection performance of green micro-LEDs with pre-strained structure at positive bias, IEEE Electron Device Letters, 2024, 45(3): 332. ( Q2, IF= 4.9 )

[10] S. Q. Lai#, et al. Enhanced performance of AlGaN-based DUV-LEDs with passivated nano-hole arrays, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(6): 3722. ( Q2, IF= 3.1 )

[11] S. Q. Lai#, et al. Investigations on electro-optical and photoelectric detection performance of GaN-based micro-LEDs by removing p-AlGaN electron-blocking layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(12): 7575. ( Q2, IF= 3.1 )

[12] S. Q. Lai#, et al. Enhancing the performance of AlGaN-based DUV-LEDs with multifocal laser stealth dicing, Optics Express, 2024, 32(11): 18508. ( Q2, IF= 3.2 )

[13] S. Q. Lai#, et al. Impacts of p-AlGaN Electron Blocking Layer for the Performance of Low Current Injected Green GaN-Based Micro-LEDs, IEEE Transactions on Electron Devices, 2024, 71(12): 7563. ( Q2, IF= 3.1 )

[14] S. Q. Lai#, et al. Impacts of the area-ratios of V-pits for the optoelectronic performance of green micro-LEDs. Journal of Alloys and Compounds, 2025, 1010: 178100. ( Q1, IF= 5.8 )

[15] S. Q. Lai#, et al. Impacts of removing the p-AlGaN electron blocking layer for ultra-low-current injected blue micro-LEDs, Optics Express, 2025, 33(4): 8536. ( Q2, IF= 3.2 )

[16] S. Q. Lai#, et al. Application of ultra-fast lasers: A promising route toward the fabrication of advanced perovskite-based devices, Advanced Optical Materials, 2025, 13(10): 02924. ( Q1, IF= 9.0 )

[17] S. Q. Lai#, et al. Competitive mechanism between light extraction efficiency and sidewall passivated effect in the green micro-LEDs with varied thickness of Al₂O₃ layer, Nanotechnology, 2025, 36(15): 155201. ( Q2, IF= 3.2, Editor Pick )

[18] Z. M. Lin†, S. Q. Lai†, et al. High aspect ratio and damage-free multifocal femtosecond-laser stealth dicing towards wafer-scale GaN based mini-LEDs. Optics Express, 2025, 33 (8), 18445. ( Q2, IF= 3.2 )

[19] S. Q. Lai#, et al. Exploring the impacts of u-GaN surface roughness for the optoelectronic performance of mini-LEDs, Optics Express, 2025, 33 (8), 17519. ( Q2, IF= 3.2 )

[20] S. Q. Lai#, et al. Artificial intelligence aided fabrication of high performance full-color micro-LED displays, Advanced Photonics Nexus, 2025, 4(3): 034001. ( Q1, IF=6 )

[21] S. Q. Lai#, et al. Enhancing optoelectronic and modulation performance at low injected current by removing the p-AlGaN electron blocking layer of μ-LEDs, Optics Letters, 2025, 50(11): 3521. ( Q2, IF= 3.1 )

[22] S. Q. Lai#, et al. Comprehensive analysis of atomic layer deposition sidewall passivation effects on size dependent performance of blue micro-LEDs, 2025 5th International Conference on Mechanical, Electronics and Electrical and Automation Control, 2025. ( 会议，EI收录 )

[23] S. Q. Lai#, et al. Impacts of varied roughness in n-AlGaN surface for the optoelectronic performance of AlGaN based ultraviolet Mini-LEDs, Journal of Luminescence, Acept. ( Q2, IF= 3.3 )

[24] S. Q. Lai#, et al. Investigation of the size-dependent effect in green micro-scaled-LED with varied atomic layer deposition passivation thickness, Physica Scripta, Acept. ( Q2, IF= 2.7 )

[25] S. Q. Lai#, et al. Recent developments of micro–scaled LEDs based technologies and mechanisms in the fields of healthcare, Advanced Photonics Nexus, Acept. ( Q1, IF=6 )

[26] S. Q. Lai#, et al. Geometric Dependence of Efficiency Degradation Mechanisms in Micro-LEDs during Size Scaling, IEEE Electron Device Letters, Accept. ( Q2, IF=4.9 )

[27] S. Q. Lai#, et al. Impacts of different thickness Al₂O₃ and SiO₂ atomic layer deposition sidewall passivation for GaN-based micro-LEDs, Journal of Vacuum Science & Technology B, Accept. ( Q3, IF=1.5, Editor Pick )

[28] S. Q. Lai#, et al. Investigation on the performance of AlGaN-based DUV-LEDs with varied HfO₂/SiO₂ anti-reflective structures, Physica Scripta, Accept. ( Q2, IF= 2.7 )

2、发明专利：

[1] 吴挺竹，赖寿强，赖昭序，卢霆威，刘时彪，林苡，郭伟杰，吕毅军，林岳，陈忠. 一种具有前置层的长波长LED外延结构及其制备方法. CN202210574616.4, 2022. (公开专利，第二作者)

[2] 吴挺竹，刘时彪，赖寿强，陈金兰，卢霆威，高玉琳，郭自泉，陈忠. 一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法. CN202210184267.5, 2022 (公开专利，第三作者)

[3] 吴挺竹，陈金兰，赖寿强，刘时彪，卢霆威，陈国龙，林宗明，朱丽虹，吕毅军，陈忠，一种制备半导体垂直剖面结构的光刻方法，CN202210513754.1，2022 (公开专利，第三作者)

[4] 吴挺竹，卢霆威，林岳，范小通，赖寿强，吕毅军，周剑扬，陈忠. 一种发射三基色偏振光的 RGB-LED 器件制作方法. ZL 202110789982.7, 2021. (授权专利，第五作者)

[5] 吴挺竹，刘时彪，赖寿强，卢霆威，郭文安，王树立，吕毅军，陈忠. 一种基于微流控技术的Micro LED全彩化显示器件与制备方法. CN202210574620.0, 2022 (公开专利，第三作者)

社会活动经历

◆ 2024年 参加中国新材料大会（广州），并作分会汇报；

◆ 2023年 参加中国材料与器件大会（青岛），并作分会汇报；

◆ 2021-2025 担任厦门大学电子科学与技术学院半导体照明党支部副书记；

◆ 2014-2018年 担任福州大学物理与信息工程学院年段分团委副书记、党建负责人。

获奖情况

◆研究生阶段：

2025     获厦门大学葛文勋奖学金。

2024 获厦门大学电子科学与技术学院优秀共产党员称号。

2024 获厦门大学优秀学生干部称号。

2023 获2023年度博士研究生国家奖学金。

2023 获2023年度中国激光杂志社Laserlink人物奖。

2023 获厦门大学优秀三好学生称号。

2022     获厦门大学中国航天科技集团公司CASC公益奖学金二等奖。

2022 获厦门大学优秀三好学生称号。

2022     获厦门大学电子科学与技术学院优讯二等奖学金。

2020 获厦门大学中国航天科技集团公司CASC公益奖学金三等奖。

2019 获厦门大学三好学生称号。

2018 获厦门大学三好学生称号。

2018 获福州大学本科生优秀毕业设计。