个人简介

谢子娟，博士，讲师，硕士生导师，长期致力于半导体和拓扑材料物性的第一性原理研究。主持国家自然科学基金青年项目1项，广东省基础与应用基础青年基金1项。以第一/通讯作者在Physical Review B、Applied Physics Letters、APL Materials、Physical Review Materials等国际知名期刊发表相关SCI论文十余篇。

教育背景

2008.08－2012.07 哈尔滨工业大学, 光信息科学与技术专业, 学士

2012.09－2014.07 哈尔滨工业大学, 凝聚态物理专业, 硕士

2015.09－2016.08 伦敦大学学院，化学系，CSC联培博士生

2017.03－2018.02 帝国理工学院，材料系，访问学生

2014.09－2019.06 哈尔滨工业大学, 凝聚态物理专业, 博士

工作经历

2019.08－2021.08 南方科技大学物理系，博士后

2022.01－至今 东莞理工学院集成电路学院，讲师

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 缺陷调控磁性拓扑绝缘体表面态带隙及费米能级机理研究，国家自然科学基金青年科学基金项目（C类），2025-01-01 至 2027-12-31, 30万元, 主持

2. GaN:C中缺陷光学和电学性质的QM/MM法研究，广东省区域联合基金-青年基金项目，2022-10至2025-09，10万元，主持

（2）发表的学术论文和著作

[1] Xie Z, Jin Y, Xiao X, Chen Z, and Zhao J. Topological nodal-line phonons from accidental degeneracy of double bands[J]. Physical Review B 2025, 112: L201105

[2] Xiao X, Xie Z, Ji R, Kong W, Chen Z, Fan J, Wang R and Wu X. Coexistence of electronic and phononic type-II hourglass Weyl nodal rings in two-dimensional ultralight crystals[J]. Applied Physics Letters. 2025,126: 263103

[3] Xie Z*, Buckeridge J*, Catlow C R A, Zhang A, Keal T W, Sherwood P, Lu Y, Woodley S M, Sokol A A*. Overcoming the compensation of acceptors in GaN:Mg by defect complex formation[J]. APL Materials. 2023, 11(8): 080701.

[4] Zhang C, Wang Y, Zhang F, Rong H, Cai Y, Wang L, Ma X, Guo S, Chen Z, Wang Y, Jiang Z, Yang Y, Liu Z, Ye M, Lin J, Mei J, Hao Z*, Xie Z*, Chen C*. Multiple surface states, nontrivial band topology, and antiferromagnetism in GdAuAl₄Ge₂[J]. Chinese Physics B. 2023, 32(7): 077401.

[5] Chen Z, Xie Z, Jin Y, Liu G, Xu H. Hybrid nodal-ring phonons with hourglass dispersion in AgAlO₂[J]. Physical Review Materials. 2022, 6(3): 034202.

[6] Xu W, Lu J, Cao S, Chen Z, Xie Z*, Xu H*. High stability and inoxidizability of monolayer topological insulator ZrTe₅[J]. Journal of Physical Chemistry C. 2022, 126(37): 16069–16074.

[7] Xie Z, Huang X, Zhang Z, Xu H. Identification of electronic descriptors for catalytic activity of transition-metal and non-metal doped MoS₂[J]. Physical Chemistry Chemical Physics. 2021, 23(28): 15101.

[8] Xie Z, Sui Y, Buckeridge J, Catlow C R A, Keal T W, Sherwood P, Walsh A, Farrow M R, Scanlon D O, Woodley S M, Sokol A A. Donor and acceptor characteristics of native point defects in GaN[J]. Journal of Physics D: Applied Physics. 2019, 52(33): 335104.

[9] Xie Z, Sui Y, Buckeridge J, Sokol A A, Keal T W, Walsh A. Prediction of multiband luminescence due to the gallium vacancy-oxygen defect complex in GaN[J]. Applied Physics Letters. 2018, 112(26): 262104.

[10] Xie Z, Sui Y, Buckeridge J, Catlow C R A, Keal T W, Sherwood P, Walsh A, Scanlon D O, Woodley S M, Sokol A A. Demonstration of the donor characteristics of Si and O defects in GaN using hybrid QM/MM[J]. Physica Status Solidi A. 2017, 214(4): 1600445.

教学工作

主讲课程

半导体物理

半导体物理及器件

量子力学

通信原理

Linux系统开发及应用

获奖与荣誉

教学奖励

集成电路科产教融合实践教学基地，第十一届教学成果奖二等奖，东莞理工学院，2024.08，排名6