研究领域或方向

李媛，博士，东莞理工学院微电子学院特聘副研究员，硕士生导师，主要研究方向为第三代半导体材料与器件。长期从事第三代半导体材料（III-V族化合物半导体）、缺陷控制及相关器件（包括LED、紫外探测、HEMT等）研究，并取得优秀成果。

教育工作经历

• 2011.09－2015.07  郑州大学，材料科学与工程专业，本科毕业

• 2015.09－2020.06  华南理工大学，材料学专业(硕博连读)，博士毕业

• 2020.07－至今     东莞理工学院国际微电子学院，讲师

学术成果介绍

（一）项目：

1. Si/石墨烯异质衬底上GaN基紫外探测器的缺陷控制，国家自然科学基金，2022，主持

2. GaN基紫外探测器的研制及其缺陷控制，广东省青年基金项目，2021，主持

3. 面向微型化高速长距离传输的可见光通信系统研究，国家重点研发计划，2019，参与

4. 高效毫米波整流，国防科技创新特区项目，2017，参与

5. Si衬底上GaN纳米柱基外延材料的制备及相关机理研究，国家自然科学，2016，参与

（二）论文：共发表SCI论文19篇，其中以第一作者身份在Small、J. Mater. Chem. C、Opt. Express等期刊发表SCI论文8篇（中科院分区一区3篇、二区4篇、三区1篇） ，包含ESI高被引论文1篇、JMCC年度热点论文2篇；相关工作也获得了国际半导体杂志Semiconductor today的专题报道。代表作如下：

1.Y. Li. High-efficiency near-UV light-emitting diodes on Si substrates with InGaN/GaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells, Journal of Materials Chemistry C, 2020, 8(3): 883-888.

2.Y. Li. 395 nm GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates with a high wall-plug efficiency of 52.0%@350 mA, Optics Express, 2019, 27(5): 7447-7457.

3.Y. Li. Lattice Structure and Bandgap Control of 2D GaN Grown on Graphene/Si Heterostructures, Small, 2019, 15(14): 1802995-1802995.

4.Y. Li. Stress and dislocation control of GaN epitaxial films grown on Si substrates and their application in high-performance light-emitting diodes, Journal of Alloys and Compounds, 2018, 771(-): 1000-1008.

5.Y. Li. High-performance vertical GaN-based near-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates, Journal of Materials Chemistry C, 2018, 6(42): 11255-11260.