个人简介

赖浩杰，博士，硕士生导师，东莞市特色人才（三类）。现任东莞理工学院集成电路学院（国际微电子学院）讲师、系副主任。在 Advanced Materials、ACS Applied Materials & Interfaces、Nanoscale 等国际期刊发表 SCI 论文20余篇，论文总引用超过860次，单篇最高引用229次。主持国家自然科学基金青年基金项目和广东省基础与应用基础研究基金区域联合基金项目各1项，参与国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金面上项目及广东省自然科学基金杰出青年项目等多项科研项目。曾获得全国光学与光学工程博士生学术联赛百强二等奖。长期从事二维半导体光电子信息器件研究，主要研究方向包括场效应电子器件、存储器与类脑计算器件以及光电探测器件等。

教育背景

2013.09－2017.07 五邑大学，电子信息工程专业，本科

2017.09－2020.07 暨南大学，凝聚态物理专业，硕士

2020.09－2023.07 暨南大学，光学工程专业，博士

工作经历

2023.07－至今 东莞理工学院集成电路学院（国际微电子学院），讲师

2026.01—至今 东莞理工学院集成电路学院（国际微电子学院）讲师、系副主任

科学研究

（1）承担的研究项目

1. 基于定位插层的界面缺陷调控策略及其在电荷俘获型光电存储器件中的应用研究，国家自然科学基金青年基金，2025.1-2027.12，30万元，主持；

2. 定位离子插层调控界面缺陷在全光控存储器件的应用研究，广东省基础与应用基础研究基金区域联合基金项目（地区培育项目），2025.1-2027.12，30万元，主持；

（2）发表的学术论文和著作

[1] Haojie Lai, Zhengli Lu, Yueheng Lu, Xuanchun Yao, Xin Xu, Jian Chen, Yang Zhou, Pengyi Liu, Tingting Shi*, Xiaomu Wang*, Weiguang Xie*. Fast, multi-bit and Vis-infrared broadband nonvolatile optoelectronic memory with MoS2/2D-perovskite van der Waals heterojunction. Advanced Materials, 2023.

[2] Haojie Lai, Yang Zhou, Huabin Zhou, Ning Zhang, Xidong Ding, Pengyi Liu, Xiaomu Wang*, Weiguang Xie*. Photoinduced Multi-Bit Nonvolatile Memory Based on a van der Waals Heterostructure with a 2D-Perovskite Floating Gate. Advanced Materials, 2022.

[3] Haojie Lai. Tailoring the Optoelectronic Properties of Monolayer BA₂PbI₄/MoS₂ Heterojunction through Terminal Variations and Defect Engineering；Applied Materials Today；2024

[4] Haojie Lai, Ruihui He, Xin Xu, Tingting Shi, Xi Wan, Hui Meng, Ke Chen, Yang Zhou, Qiulan Chen*, Pengyi Liu, Jian Chen, Jianbin Xu, Weiguang Xie*. A self-driven approach for local ion intercalation in vdW crystals. Nanoscale, 2020.

[5] Huabin Zhou#, Haojie Lai# (共同第一作者), Xiao Sun, Ning Zhang, Yuee Wang, Pengyi Liu, Yang Zhou*, Weiguang Xie*. Van der Waals MoS2/Two-Dimensional Perovskite Heterostructure for Sensitive and Ultrafast Sub-Band-Gap Photodetection. ACS Applied Materials & Interfaces, 2022.

[6] Siyuan Wang#, Haojie Lai# (共同第一作者), Xinyue Lv, Qiulan Chen, Pengyi Liu, Jian Chen*, Weiguang Xie*. Improving the SERS effect of van der Waals material by intercalation strategy. Applied Surface Science, 2021.

（3）专利情况

1. 谢伟广，赖浩杰，王思媛，陈楠，陈科球，刘彭义，一种自驱动、微区、定位离子插层及图案化方法，发明专利，专利号：ZL201910641135.9，专利状态：已授权，授权时间：2022.07.12

2. 谢伟广，赖浩杰，何锐辉，陈科球，罗佳玉，刘彭义，一种双离子插层氧化钼纳米片、异质结及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201910216725.7，专利状态：已授权，授权时间：2022.04.19

3. 陈秋兰，赖浩杰，谢伟广，周洋，刘虔铖，金浩宇，庞娜娜，郭静玉，二维钙钛矿范德华异质结非易失光电存储器及其制备方法，发明专利，专利号：ZL202210058299.0，专利状态：已授权，授权时间：2022.09.30

4. 谢伟广，何锐辉，赖浩杰，锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201811057075.8，专利状态：已授权，授权时间：2020.09.04

5. 谢伟广，曾文，陈楠，赖浩杰，刘彭义，大尺寸V6O13单晶片及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201910628556.8，专利状态：已授权，授权时间：2019.07.12

6. 谢伟广，曾文，张宇靖，赖浩杰，周洋，刘彭义，基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器及其制备方法，发明专利，专利号：ZL201910608854.0，专利状态：已授权，授权时间：2020.11.13

教学工作

主讲课程

DSP系统设计

半导体制造与过程控制

概率论与数理统计

复变函数与积分变换

离散数学